DVC21XX系列产品内部包含了AFE和 32 位 MCU 核心。该系列基于自身在高精度ADC及高可靠性MCU的技术能力，结合客户需求以及市场趋势发展所研发。
| 芯片型号 | 电池节数 | 外部测温通道数 | 集成MCU | ADC特性 | 硬件保护 | 充放电驱动 | 通信接口 | 其他特色 | 封装类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DVC2108P8 | 4~8 | 6 | ARM CORTEX M0+内核; 64KB Flash; 8KB SRAM | 16位ΣΔADC电压温度采集 16位ΣΔADC电流采集CC1 20位ΣΔADC电流采集CC2 | 均衡/过压/欠压/短路/充放电过流1级/充放电过流2级/内核过温 | 高边驱动 NMOS 低边驱动 NMOS | I2C | 预充/预放电控制、充放电快速关断硬线控制;充电器检测、负载检测、断线检测、充电器及负载唤醒、I2C唤醒、小电流唤醒、MOS体二极管保护 | LQFP48 |
| DVC2114PA | 4~14 | 6 | ARM CORTEX M0+内核; 128KB Flash; 16KB SRAM | 16位ΣΔADC电压温度采集 16位ΣΔADC电流采集CC1 20位ΣΔADC电流采集CC2 | 均衡/过压/欠压/短路/充放电过流1级/充放电过流2级/内核过温 | 高边驱动 NMOS 低边驱动 NMOS | I2C | 预充/预放电控制、充放电快速关断硬线控制;充电器检测、负载检测、断线检测、充电器及负载唤醒、I2C唤醒、小电流唤醒、MOS体二极管保护 | LQFP64 |
| DVC2117 | 5~17 | 6 | ARM CORTEX M0+内核; 128KB Flash; 16KB SRAM | 16位ΣΔADC电压温度采集 16位ΣΔADC电流采集CC1 20位ΣΔADC电流采集CC2 | 均衡/过压/欠压/短路/充放电过流1级/充放电过流2级/内核过温 | 高边驱动 NMOS 低边驱动 NMOS | I2C | 预充/预放电控制、充放电快速关断硬线控制;充电器检测、负载检测、断线检测、充电器及负载唤醒、I2C唤醒、小电流唤醒、MOS体二极管保护 | LQFP64 |
